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参数资料
| 型号： | FDN372S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 2.6A SSOT-3 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Wire Bonding Change 07/Nov/2008 Mold Compound Change 08/April/2008 Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 2.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.1nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 630pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
25
V GS = 10V
4.5V
2.2
3.5V
2
20
15
3.0V
1.8
1.6
V GS = 2.5V
10
5
2.5V
1.4
1.2
3.5V
4.5V
5.0V
4 5V
10V
1
0
0.8
0
1
2
3
4
0
10
20
30
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.6
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.12
1.4
1.2
1
0.8
0.6
I D = 2.6A
V GS = 10V
0.11
0.1
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
T A = 25 o C
T A = 125 o C
I D = 1.3A
-50
-25
0
25
50
75
100
125
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
10
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
10
8
V DS = 10V
T A = -55 o C
25 o C
1
V GS = 0V
6
4
2
0
125 o C
0.1
0.01
0.001
0.0001
T A = 125 o C
25 o C
-55 o C
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
0.0
0.2
0.4
0.6
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDN372S Rev C(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDN5618P | MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3 |
| FDN5630 | MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3 |
| FDP020N06B | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 |
| FDP025N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 |
| FDP027N08B | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDN372S_F095 | 制造商:Fairchild 功能描述:30V/16V, 40/50MO, NCH, SYNCFET |
| FDN372S_Q | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDN537N | 功能描述:MOSFET 30V Single N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDN5618 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| FDN5618P | 功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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