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参数资料
| 型号： | FDN372S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 2.6A SSOT-3 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Wire Bonding Change 07/Nov/2008 Mold Compound Change 08/April/2008 Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 2.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.1nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 630pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
5
800
4
I D = 2.6A
V DS = 10V
15V
C iss
f = 1 MHz
V GS = 0 V
600
20V
3
400
2
1
200
C oss
C rss
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
5
10
15
20
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
R DS(ON) LIMIT
20
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
R θ JA = 270°C/W
10
100 μ s
15
T A = 25°C
1ms
10ms
1
DC
1s
100ms
10
V GS = 10V
0.1
0.01
SINGLE PULSE
R θ JA = 270 o C/W
T A = 25 o C
5
0
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
R θ JA (t) = r(t)* R θ JA
R θ JA = 270 C/W
0.2
o
0.1
0.1
0.05
0.02
P(pk)
t 1
0.01
0.01
SINGLE PULSE
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDN372S Rev C(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDN5618P | MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3 |
| FDN5630 | MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3 |
| FDP020N06B | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 |
| FDP025N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 |
| FDP027N08B | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDN372S_F095 | 制造商:Fairchild 功能描述:30V/16V, 40/50MO, NCH, SYNCFET |
| FDN372S_Q | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDN537N | 功能描述:MOSFET 30V Single N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDN5618 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| FDN5618P | 功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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