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参数资料
| 型号： | FDP027N08B |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.7 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 178nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13530pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 246W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
500
Figure 2. Transfer Characteristics
500
*Notes:
1. V DS = 10V
2. 250 μ s Pulse Test
175 C
25 C
100
V GS = 15.0V
10.0V
8.0V
100
10
o
o
2. T C = 25 C
-55 C
10
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
7.0V
6.5V
6.0V
5.5V
o
5
0.1
1
V DS , Drain-Source Voltage[V]
4
1
2.5
3.0
3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
V GS , Gate-Source Voltage[V]
6.0
6.5
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
3.0
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
500
175 C
25 C
2.5
2.0
V GS = 10V
100
o
o
1.5
V GS = 20V
10
*Notes:
1. V GS = 0V
*Note: T C = 25 C
1.0
0
100
200 300 400
o
500
1
0.2
2. 250 μ s Pulse Test
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.3
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
30000
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
10000
C iss
8
V DS = 16V
V DS = 40V
V DS = 64V
1000
*Note:
1. V GS = 0V
C oss
6
4
100
2. f = 1MHz
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
C rss
2
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
10
0.1 1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
80
0
0
*Note: I D = 100A
30 60 90 120
Q g , Total Gate Charge [nC]
150
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP027N08B Rev. C4
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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