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参数资料
| 型号： | FDP027N08B |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.7 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 178nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13530pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 246W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.08
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
2.0
1.04
1.5
1.00
1.0
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.96
0.92
-80
-40
*Notes:
1. V GS = 0V
2. I D = 250 μ A
0 40 80 120 160 200
o
0.5
-100
*Notes:
1. V GS = 10V
2. I D = 100A
-50 0 50 100 150 200
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
2000
1000
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
250
100
10
10us
100us
1ms
200
150
V GS = 10V
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
10ms
DC
100
*Notes:
1. T C = 25 C
2. T J = 175 C
R θ JC = 0.61 C/W
0.1
o
o
3. Single Pulse
50
o
T C , Case Temperature [ C ]
0.01
1
10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
200
0
25
50 75 100 125 150
o
175
Figure 11. Eoss vs. Drain to Source Voltage
6
5
Figure 12. Unclamped Inductive
Switching Capability
200
100
4
T J = 25 o C
3
2
1
10
T J = 150 o C
0
0
20 40 60
V DS , Drain to Source Voltage [ V ]
80
1
0.001
0.01
0.1 1 10 100
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
1000
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP027N08B Rev. C4
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP030N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220 |
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| FDP040N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP027N08B_F102 | 功能描述:MOSFET N-Channel PwrTrench 80V 223A 2.7mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP030N06 | 功能描述:MOSFET NCH 60V 3.0Mohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP030N06B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 195A, 3.1m |
| FDP030N06B_F102 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:PT7 60V 2.5MOHM TO-220 - Rail/Tube 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RAIL / PT7 60V 2.5MOHM TO-220 |
| FDP032N08 | 功能描述:MOSFET 75V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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