参数资料
型号: FDP027N08B
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3
标准包装: 50
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 120A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.7 毫欧 @ 100A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 178nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 13530pF @ 40V
功率 - 最大: 246W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220-3
包装: 管件
I G = const .
Figure 14. Gate Charge Test Circuit & Waveform
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 15. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
V GS
Figure 16. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP027N08B Rev. C4
6
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
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FDP030N06 功能描述:MOSFET NCH 60V 3.0Mohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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