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参数资料
| 型号： | FDP15N65_0610 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 650V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | ?650V N沟道MOSFET |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 1335K |
| 代理商： | FDP15N65_0610 |
8
www.fairchildsemi.com
FDP15N65 / FDPF15N65 Rev. A
F
Mechanical Dimensions
4.50
±
0.20
9.90
±
0.20
1.52
±
0.10
0.80
±
0.10
2.40
±
0.20
10.00
±
0.20
1.27
±
0.10
3.60
±
0.10
(8.70)
2
±
0
1
±
0
1
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0
1
(
(
(
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(
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°
)
9
±
0
1
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0
1
±
0
1.30
+0.10
–0.05
0.50
+0.10
–0.05
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
TO-220
Dimensions in Millimeters
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP15N65 | 650V N-Channel MOSFET |
| FDPF15N65 | 650V N-Channel MOSFET |
| FDP16AN08A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 58A, 16mз |
| FDB16AN08A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 58A, 16mз |
| FDP16N50 | 500V N-Channel MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP16AN08A0 | 功能描述:MOSFET 75V 58a 0.016 Ohms/VGS=10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP16G | 制造商:ADAM-TECH 制造商全称:Adam Technologies, Inc. 功能描述:IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE |
| FDP16N50 | 功能描述:MOSFET 500V 16A NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP16N50_0704 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FDP16N50_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
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