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参数资料
| 型号： | FDP3682 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 32A TO-220AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 32A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 95W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
Mechanical Dimensions
TO-220 3L
Figure 21. TO-220, Molded, 3Lead, Jedec Variation AB
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Dimension in Millimeters
? 200 2 Fairchild Semiconductor
Corporation FDP3682 Rev. C2
10
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP39N20 | MOSFET N-CH 200V 39A TO-220 |
| FDP51N25 | MOSFET N-CH 250V 51A TO-220 |
| FDP5500 | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220AB |
| FDP5800 | MOSFET N-CH 60V 14A TO-220 |
| FDP5N60NZ | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP3682 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDP3682_Q | 功能描述:MOSFET 100V 32a .36Ohm/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP3682_SB82034 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| FDP-36-T | 功能描述:集管和线壳 36pos. DIP Plug .100 x .600 RoHS:否 产品种类:1.0MM Rectangular Connectors 产品类型:Headers - Pin Strip 系列:DF50 触点类型:Pin (Male) 节距:1 mm 位置/触点数量:16 排数:1 安装风格:SMD/SMT 安装角:Right 端接类型:Solder 外壳材料:Liquid Crystal Polymer (LCP) 触点材料:Brass 触点电镀:Gold 制造商:Hirose Connector |
| FDP39N20 | 功能描述:MOSFET SINGLE N-CH 200V ULTRAFET TRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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