参数资料
型号: FDP3682
厂商: Fairchild Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 32A TO-220AB
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
标准包装: 400
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 32A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 36 毫欧 @ 32A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1250pF @ 25V
功率 - 最大: 95W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220AB
包装: 管件
Typical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted
1.2
35
1.0
0.8
30
25
V GS = 10V
20
0.6
15
0.4
10
0.2
5
0
0
2 5
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
0.1
t 1
t 2
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
0.01
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
400
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
T C = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
100
30
V GS = 10V
I = I 25
175 - T C
150
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 4. Peak Current Capability
? 200 2 Fairchild Semiconductor
Corporation FDP3682 Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
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