参数资料
型号: FDP3682
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 5/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 32A TO-220AB
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
标准包装: 400
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 32A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 36 毫欧 @ 32A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1250pF @ 25V
功率 - 最大: 95W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220AB
包装: 管件
Typical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted
1.2
V GS = V DS , I D = 250 μ A
1.2
I D = 250 μ A
1.0
1.1
0.8
1.0
0.6
0.4
0.9
-80
-40
0
40
80
120
160
200
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
2000
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
10
1000
C ISS = C GS + C GD
8
V DD = 50V
C OSS ? C DS + C GD
6
100
C RSS = C GD
4
V GS = 0V, f = 1MHz
2
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
I D = 32A
I D = 16A
20
0.1
1
10
100
0
0
5
10
15
20
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Qg, GATE CHARGE (nC)
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
? 200 2 Fairchild Semiconductor
Corporation FDP3682 Rev. C2
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料
PDF描述
FDP39N20 MOSFET N-CH 200V 39A TO-220
FDP51N25 MOSFET N-CH 250V 51A TO-220
FDP5500 MOSFET N-CH 55V 80A TO-220AB
FDP5800 MOSFET N-CH 60V 14A TO-220
FDP5N60NZ MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220-3
相关代理商/技术参数
参数描述
FDP3682 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
FDP3682_Q 功能描述:MOSFET 100V 32a .36Ohm/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDP3682_SB82034 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
FDP-36-T 功能描述:集管和线壳 36pos. DIP Plug .100 x .600 RoHS:否 产品种类:1.0MM Rectangular Connectors 产品类型:Headers - Pin Strip 系列:DF50 触点类型:Pin (Male) 节距:1 mm 位置/触点数量:16 排数:1 安装风格:SMD/SMT 安装角:Right 端接类型:Solder 外壳材料:Liquid Crystal Polymer (LCP) 触点材料:Brass 触点电镀:Gold 制造商:Hirose Connector
FDP39N20 功能描述:MOSFET SINGLE N-CH 200V ULTRAFET TRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube