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参数资料
| 型号： | FDP65N06 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 65A TO-220 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 65A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 32.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2170pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 135W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
500
150 C
25 C
-5 5 C
300
100
10
V GS
Top :
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
B ottom : 5 .5 V
100
10
o
o
o
*
otes :
* N o te s :
2. T C = 25 C
2
1. 250 μ s Pulse Test
o
1
1 . V DS = 4 0 V
2 . 2 5 0 μ s P u ls e T e s t
0.1
1
10
2
4
8
10
V D S , D rain-S ource V oltage [V ]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.14
V G S , G a te -S o urc e V o lta ge [V ]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
100
150 C
0.12
0.10
V GS = 10V
0.08
10
0.06
0
25 C
* Note : T J = 25 C
0.04
0.02
V GS = 20V
o
0
* Note :
1. V GS =0V
2. 250 μ s Pulse Test
0
5
10
15
20
1
0. 2
0.4
0.6
0.8
1. 0
1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
4000
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
V DS , Source-Drain Violtage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
12
C rss = C gd
10
V DS = 12V
3000
C oss
V DS = 30V
* Note :
8
V DS = 48V
2000
C iss
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
6
4
1000
C rss
2
* Note : I D = 65A
0
0
10
10
10
-1
0
1
0
1 0
20
3 0
40
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP65N06 Rev. C0
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP6644 | 功能描述:MOSFET TO-220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDP6670AL_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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