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参数资料
| 型号： | FDP65N06 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 65A TO-220 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 65A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 32.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2170pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 135W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
* Not s :
* Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
1. V GS = 10 V
2. I D = 32.5 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
10
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
3
10 μ s
o
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
80
70
10
2
1ms
10ms
100ms
100 μ s
60
50
10
1
Operation in This Area
DC
40
is Limited by R DS(on)
30
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
0
* Notes :
o
o
3. Single Pulse
20
10
10
10
10
10
-1
0
1
2
0
25
50
75
100
125
150
T C , Case Temperature [ C]
V DS , Drain-SourceVoltage[V]
o
10
F igure 11. Transient Thermal Response Curve
0
D=0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
0.02
0.01
* Notes :
10
1. Z θ JC (t) = 0.92 C/W Max.
-2
single pulse
0
2. Duty Factor, D=t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
10
10
10
10
10
10
10
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
t 1 , Square Wave Pulse Duration [sec]
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP65N06 Rev. C0
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP6644 | 功能描述:MOSFET TO-220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP6644S | 功能描述:MOSFET 30V/16V NCh MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDP6670AL_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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