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参数资料
| 型号： | FDP80N06 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 74nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3190pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 176W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
400
100
V GS = 10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
500
100
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
5.5 V
5.0 V
175 C
-55 C
25 C
10
1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
10
o
o
o
2. T C = 25 C
0.4
o
1
0.02
0.1
1
10
0
2
4
10
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.03
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
500
175 C
25 C
0.02
V GS = 10V
100
10
o
o
0.01
V GS = 20V
*Notes:
1. V GS = 0V
*Note: T J = 25 C
0.00
0
80 160 240
o
320
1
0.0
2. 250 μ s Pulse Test
0.5 1.0 1.5
2.0
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
6000
4500
C iss
C oss
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
10
8
V DS = 15V
V DS = 30V
V DS = 48V
*Note:
3000
C rss
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
6
4
1500
2
0
0.1
1
10
30
0
0
*Note: I D = 80A
15 30 45
60
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2007 Fairchild Semiconductor
Corporation FDP80N06 Rev. C0
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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