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参数资料
| 型号： | FDP80N06 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 74nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3190pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 176W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
1.1
1.0
0.9
*Notes:
1. V GS = 0V
2. I D = 1mA
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
2.5
2.0
1.5
1.0
*Notes:
1. V GS = 10V
2. I D = 40A
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.8
-100
-50 0 50 100 150
o
200
0.5
-100
-50 0 50 100 150
o
200
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
1000
100
10
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
30 μ s
100 μ s
1ms
10ms
DC
90
75
60
45
30
*Notes:
1. T C = 25 C
2. T J = 175 C
0.1
o
o
15
T C , Case Temperature [ C ]
0.01
1
3. Single Pulse
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
80
0
25
50 75 100 125
o
150
175
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
2
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
P DM
0.01
0.02
0.01
*Notes:
t 1
t 2
1. Z θ JC (t) = 0.85 C/W Max.
Single pulse
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
10
10
10
10
10
10
10
1E-3
-5
-4
-3
- 2
- 1
0
1
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2007 Fairchild Semiconductor
Corporation FDP80N06 Rev. C0
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDP8442 | 功能描述:MOSFET 40V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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