- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录425 > FDPF20N50FT (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 500V 20A TO-220F Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDPF20N50FT |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 20A TO-220F |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 260 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3390pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 38.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
80
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
100
150 C
25 C
10
1
6.5 V
6.0 V
5.5 V
*Notes:
10
o
o
*Notes:
1. 250 ? s Pulse Test
1. V DS = 20V
2. T C = 25 C
0.3
0.1
o
1
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
10
20
1
4
2. 250 ? s Pulse Test
5 6 7
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
8
150 C
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.5
0.4
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
400
100
o
25 C
0.3
V GS = 10V
V GS = 20V
10
o
0.2
*Notes:
*Note: T J = 25 C
0.1
0
25 50
o
75
1
0.0
1. V GS = 0V
2. 250 ? s Pulse Test
0.5 1.0 1.5 2.0
2.5
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
6000
4500
C oss
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
10
8
V DS = 100V
V DS = 250V
V DS = 400V
*Note:
3000
C iss
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
6
4
1500
C rss
2
0
0.1
1 10
50
0
0
10
*Note: I D = 20A
20 30 40 50
60
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP20N50F/ FDPF20N50FT Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF20N50T | MOSFET N-CH 500V 20A TO-220F |
| FDPF2710T | MOSFET N-CH 250V 25A TO-220F |
| FDPF320N06L | MOSFET N-CH 60V 21A TO-220F |
| FDPF3860TYDTU | MOSFET N-CH 100V 20A TO-220F |
| FDPF390N15A | MOSFET N-CH 150V 15A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDPF20N50T | 功能描述:MOSFET 500V 20A NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF24N40 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 400V, 24A, 0.175ヘ |
| FDPF26N40 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 400V, 26A, 0.16ヘ |
| FDPF2710T | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF320N06L | 功能描述:MOSFET 60V NCHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。