- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录425 > FDPF20N50FT (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 500V 20A TO-220F Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDPF20N50FT |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 20A TO-220F |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 260 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3390pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 38.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. Maximum Safe Operating Area
- FDP20N50F
200
100
10 ? s
100 ? s
1.1
10
1 ms
10 ms
100 ms
1.0
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
DC
1. T C = 25 C
0.9
*Notes:
0.1
*Notes:
o
T J , Junction Temperature [ C ]
2. T J = 150 C
0.8
-100
1. V GS = 0V
2. I D = 1mA
-50 0 50 100 150
o
200
0.01
1
o
3. Single Pulse
10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
800
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
- FDPF20N50FT
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
200
100
10
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
40 ? s
100 ? s
1ms
10ms
25
20
15
10
1. T C = 25 C
0.1
*Notes:
o
DC
5
2. T J = 150 C
o
T C , Case Temperature [ C ]
0.01
1
3. Single Pulse
10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
800
0
25
50 75 100 125
o
150
Figure 11. Transient Thermal Response Curve - FDP20N50F
1
0.5
0.1
0.2
0.1
P DM
P DM
t 1
t 2
1. Z ? JC (t) = 0.5 C/W Max.
0.01
0.05
0.02
0.01
single pulse
t 1
t 2
*Notes:
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
10
10
10
10
10
10
10
0.002
-5
-4
-3
-2
-1
3. T JM - T C = P DM * Z ? JC (t)
0
1
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP20N50F/ FDPF20N50FT Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF20N50T | MOSFET N-CH 500V 20A TO-220F |
| FDPF2710T | MOSFET N-CH 250V 25A TO-220F |
| FDPF320N06L | MOSFET N-CH 60V 21A TO-220F |
| FDPF3860TYDTU | MOSFET N-CH 100V 20A TO-220F |
| FDPF390N15A | MOSFET N-CH 150V 15A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDPF20N50T | 功能描述:MOSFET 500V 20A NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF24N40 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 400V, 24A, 0.175ヘ |
| FDPF26N40 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 400V, 26A, 0.16ヘ |
| FDPF2710T | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF320N06L | 功能描述:MOSFET 60V NCHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。