- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录425 > FDPF390N15A (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 150V 15A TO-220F Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDPF390N15A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 15A TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1285pF @ 75V |
| 功率 - 最大： | 22W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.10
1.08
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
2.6
2.4
2.0
1.04
1.6
1.00
1.2
0.96
*Notes:
1. V GS = 0V
2. I D = 250 μ A
0.8
*Notes:
1. V GS = 10V
2. I D = 15A
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.92
-80
-40 0 40 80 120
o
160
0.4
-80
-40 0 40 80 120
o
160
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
300
100
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
16
V GS = 10V
10
1
100 μ s
1ms
10ms
100ms
12
8
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
0.1
0.01
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
*Notes:
o
o
DC
4
R θ JC =5.7 C/W
T C , Case Temperature [ C ]
0.001
1
3. Single Pulse
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
100
200
0
25
o
50 75 100 125
o
150
Figure 11. Eoss vs. Drain to Source Volatage
Figure 12. Unclamped Inductive
Switching Capability
1.2
1.0
0.8
12
10
If R = 0
t AV = (L) ( I AS ) / ( 1.3*RATED BV DSS -V DD )
If R = 0
t AV = (L/R)In [( I AS *R ) / ( 1.3*RATED BV DSS -V DD ) +1 ]
o
STARTING T J = 25 C
0.6
o
STARTING T J = 150 C
0.4
0.2
0.0
0
30 60 90 120
V DS , Drain to Source Voltage [ V ]
150
1
0.01
0.1 1
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
10 20
?20 11 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF390N15A Rev C 1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF3N50NZ | MOSFET N-CH 500V 3A TO-220F |
| FDPF44N25T | MOSFET N-CH 250V 44A TO-220F |
| FDPF51N25YDTU | MOSFET N-CH 250V 51A TO-220F |
| FDPF52N20T | MOSFET N-CH 200V 52A TO-220F |
| FDPF5N50NZF | MOSFET N-CH 500V 4.2A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDPF39N20 | 功能描述:MOSFET 200V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF3N50NZ | 功能描述:MOSFET 500V N-Chan MOSFET UniFET-II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF44N25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| FDPF44N25T | 功能描述:MOSFET 250V N-Chan MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF4N60NZ | 功能描述:MOSFET Dual 2A High-Speed Low-Side Gate Driver RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。