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参数资料
| 型号： | FDPF390N15A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 15A TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1285pF @ 75V |
| 功率 - 最大： | 22W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 1 3 . Transient Thermal Response Curve
8
0.5
1
0.2
0.1
0.05
P DM
1. Z θ JC (t) = 5.7 C/W Max.
0.1
0.02
0.01
Single pulse
t 1
t 2
*Notes:
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
0.01 -5
10
10
10
10
1
10
?20 11 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF390N15A Rev C 1
-4
-3 -2 - 1
Rectangular Pulse Duration [sec]
5
10
100
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF3N50NZ | MOSFET N-CH 500V 3A TO-220F |
| FDPF44N25T | MOSFET N-CH 250V 44A TO-220F |
| FDPF51N25YDTU | MOSFET N-CH 250V 51A TO-220F |
| FDPF52N20T | MOSFET N-CH 200V 52A TO-220F |
| FDPF5N50NZF | MOSFET N-CH 500V 4.2A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDPF39N20 | 功能描述:MOSFET 200V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF3N50NZ | 功能描述:MOSFET 500V N-Chan MOSFET UniFET-II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF44N25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| FDPF44N25T | 功能描述:MOSFET 250V N-Chan MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF4N60NZ | 功能描述:MOSFET Dual 2A High-Speed Low-Side Gate Driver RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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