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参数资料
| 型号： | FDQ7238AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 14SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A，11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13.2 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 15V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 920pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.3W，1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDQ7238ASFSDKR |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type Min Typ
Max Units
Off Characteristics
BV DSS
? BV DSS
? T J
I DSS
Drain-Source Breakdown
Voltage
Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
V GS = 0 V, I D = 1 mA
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
I D = 10 mA, Referenced to 25 ° C
I D = 250 μ A, Referenced to 25 ° C
V DS = 24 V, V GS = 0 V
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
30
30
25
24
500
V
mV/ ° C
μ A
Q1
1
V DS = 24 V, V GS = 0 V,
T J = 125 ° C
Q2
Q1
5.6
40
mA
μ A
I GSS
Gate-Body Leakage
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
ALL
± 100
nA
On Characteristics
(Note 2)
V GS(th)
? V GS(th)
? T J
R DS(on)
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage
Temperature Coefficient
Static Drain-Source
V DS = V GS , I D = 1 mA
V DS = V GS , I D = 250 μ A
I D = 10 mA, Referenced to 25 ° C
I D = 250 μ A, Referenced to 25 ° C
V GS = 10 V, I D = 14 A
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
1
1
1.8
1.7
? 3
? 4
7.2
3
3
8.7
V
mV/ ° C
m ?
On-Resistance
V GS = 4.5 V, I D = 13 A
V GS = 10 V, I D = 14A, T J = 125 ° C
8.7
10
10.5
12.5
V GS = 10 V, I D = 11 A
V GS = 4.5 V, I D = 10 A
V GS = 10 V, I D = 11, T J = 125 ° C
Q1
11
13
15
13.2
16
19
I D(on)
On–State Drain Current
V GS = 10 V, V DS = 5 V
Q2
50
A
V GS = 10 V, V DS = 5 V
Q1
50
g FS
Forward Transconductance
V DS = 10 V, I D = 14 A
Q2
58
S
Dynamic Characteristics
V DS = 10 V, I D = 11 A
Q1
43
C iss
Input Capacitance
V DS = 15 V,
V GS = 0 V,
Q2
Q1
1530
920
pF
C oss
Output Capacitance
f = 1.0 MHz
Q2
440
pF
Q1
190
C rss
Reverse Transfer Capacitance
Q2
160
pF
Q1
120
R g
Gate Resistance
V GS = 15mV, f = 1.0 MHz
Q2
1.9
?
Q1
1.9
FDQ7238AS Rev A 1 (X)
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