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参数资料
| 型号： | FDQ7238AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 14SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A，11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13.2 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 15V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 920pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.3W，1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDQ7238ASFSDKR |
Typical Characteristics : Q2
10
8
I D = 14A
V DS = 10V
2500
2000
f = 1MHz
V GS = 0 V
6
4
2
0
15V
20V
1500
1000
500
0
C rss
C oss
C iss
0
5
10 15 20
25
30
0
5
10 15 20 25
30
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100μs
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
10
R DS(ON) LIMIT
1ms
10ms
40
R θ JA = 94°C/W
T A = 25°C
100ms
1s
10s
30
1
0.1
V GS = 10V
SINGLE PULSE
DC
20
T A = 25 C
0.01
R θ JA = 94 o C/W
o
10
0
0.01
0.1 1 10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 94°C/W
0.1
0.1
0.05
0.01
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P(pk)
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1d.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design
FDQ7238AS Rev A 1 (X)
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