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参数资料
| 型号： | FDQ7238AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 14SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A，11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13.2 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 15V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 920pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.3W，1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDQ7238ASFSDKR |
Typical Characteristics: Q1
50
40
V GS = 10V
6.0V
4.0V
4.5V
2.6
2.2
V GS = 3.0V
3.5V
30
1.8
3.5V
20
1.4
4.0V
10
0
3.0V
2.5V
1
0.6
4.5V
6.0V
10.0V
0
0.5
1 1.5
2
2.5
0
10
20 30
40
50
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 15. On-Region Characteristics.
1.5
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 16. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.036
T A = 125 C
1.4
1.3
1.2
1.1
1
I D = 11A
V GS = 10V
0.032
0.028
0.024
0.02
0.016
o
I D = 5.5A
T A = 25 o C
0.9
0.8
0.012
0.008
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
-50
-25
0 25 50 75 100
o
125
150
2
4 6 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
50
40
Figure 17. On-Resistance Variation with
Temperature.
V DS = 5V
Figure 18. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
V GS = 0V
10
T A = 125 C
30
1
0.1
o
25 o C
T A = 125 C
-55 C
-55 C
20
o
o
0.01
o
10
0
25 o C
0.001
0.0001
1
1.5
2 2.5 3 3.5
4
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
1.4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 19. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 20. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDQ7238AS Rev A 1 (X)
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