- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录425 > FDS4410A (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDS4410A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13.5 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1205pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
50
3
V GS = 10V
4.0V
V GS = 3.0V
40
6.0V
4.5V
3.5.V
2.5
30
2
3.5V
20
1.5
4.0V
10
3.0V
1
4.5V
6.0V
10V
0
0.5
0
0.5
1
1.5
2
0
10
20
30
40
50
1.8
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.05
1.6
I D = 10A
V GS = 10V
0.04
I D = 5 A
1.4
0.03
T A = 125 C
T A = 25 C
1.2
1
0.02
o
o
0.8
0.6
0.01
0
-50
-25
0 25 50
75 100 125
150
175
2
4 6 8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
50
V DS = 5V
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
V GS = 0V
10
40
T A = 125 o C
1
30
25 C
20
0.1
o
10
T A = 125 o C
25 o C
0.01
0.001
-55 o C
-55 o C
0
0.0001
1
1.5
2 2.5
3
3.5
4
0
0.2 0.4
0.6 0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
FDS4410A Rev. B
3
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS4435BZ_F085 | MOSFET P-CH 30V 8-SOIC |
| FDS4435 | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC |
| FDS4465_F085 | MOSFET P-CH 20V 8-SOIC |
| FDS4465 | MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC |
| FDS4470 | MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS4435 | 功能描述:MOSFET SO-8 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4435 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:30VP-CH. FET 20 MO SO8 TR :ROHS COMPL |
| FDS4435 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SO-8 |
| FDS4435_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS4435_NL | 功能描述:MOSFET P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。