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参数资料
| 型号： | FDS4672A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 11A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 49nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4766pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS4672ADKR |
Typical Characteristics
50
V GS = 4.5V
2.5V
1.6
3.5V
40
3.0V
1.4
V GS = 2.5V
30
1.2
20
3.0V
10
2.0V
1
3.5V
4.0V
4.5V
0
0
0.5
1
1.5
2
0.8
0
10
20
30
40
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
2
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.03
1.8
I D = 11A
V GS = 4.5V
0.026
I D = 5.5A
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.022
0.018
0.014
0.01
0.006
T A = 25 o C
T A = 125 o C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
70
o
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
T A = -55 C
25 C
V DS = 5V
o
o
V GS = 0V
125 C
T A = 125 C
60
50
40
o
10
1
o
25 o C
0.1
30
20
0.01
-55 o C
10
0
0.001
0.0001
1
1.5
2
2.5
3
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS4672A Rev C 1 (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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