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参数资料
| 型号： | FDS4675_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 40V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 56nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4350pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS4675_F085DKR |
Typical Characteristics
50
40
V GS = -10V
-6.0V
-4.5V
-3.5V
-3.0V
2.2
2
1.8
V GS = -3.0V
30
1.6
20
-2.5V
1.4
-3.5V
-4.0V
10
1.2
1
-4.5V
-6.0V
-10V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.8
0
10
20
30
40
50
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
-I D , DIRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
T A = 125 C
1.6
1.4
1.2
1
I D = -11A
V GS = -10V
0.05
0.04
0.03
0.02
o
I D = -5.5A
T A = 25 C
o
0.8
0.01
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
T A = -55 C
25 C
125 C
50
40
V DS = -5.0V
o
o
o
100
10
V GS = 0V
T A = 125 C
1
o
25 C
-55 C
30
20
10
0
0.1
0.01
0.001
0.0001
o
o
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS 4675_F085 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS4675 | MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC |
| FDS4897AC | MOSFET N/P-CH 40V 6.1/5.2A SO8 |
| FDS4897C | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC |
| FDS4935A | MOSFET P-CHAN 30V 7A 8SOIC |
| FDS4935BZ | IC MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS4685 | 功能描述:MOSFET 40V PCH POWER TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4685 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P CHANNEL MOSFET -40V 8.2mA |
| FDS4685-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDS4685 Series 40 V 27 mOhm P-Channel PowerTrench Mosfet SOIC-8 |
| FDS4770 | 功能描述:MOSFET 40V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4770 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
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