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参数资料
| 型号： | FDS6675 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3000pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6675DKR |
Typical Electrical Characteristics
50
V GS = -10V
-6.0V
2.5
40
-4.5V
2
V GS = -3.5V
-3.5V
30
1.5
-4.0V
-4.5 V
20
-3.0V
1
-5.5V
-7.0V
-10V
10
0
0
0.6
-V
DS
1.2 1.8 2.4
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
3
0.5
0
10
20 30
- I D , DRAIN CURRENT (A)
40
50
Figure 1. On-Region Characteristics .
1.6
I D = -11A
Figure 2. On-Resistance Variation with
Dain Current and Gate Voltage .
0.05
I D = -5.5A
1.4
1.2
V GS = -10V
0.04
0.03
1
0.8
0.02
0.01
T J = 125°C
25° C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE (° C)
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature .
50
- V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
50
40
V DS = -5.0V
T J = -55° C
25° C
125° C
10
V GS = 0V
T J = 125° C
1
30
25° C
20
10
0.1
0.01
-55° C
0
1
2
3
4
5
0.001
0
0.4
0.8
1.2
- V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
FDS6675 Rev.C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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