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参数资料
| 型号： | FDS6675 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3000pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6675DKR |
SO-8 Tape and Reel Data and Package Dimensions
SOIC(8lds) Packaging
Configuration: Figure 1.0
N
ELECTROSTATIC
SENSITIVE DEVICES
DO NOT SHIP OR STORE NEAR STRONG ELECTROSTATIC
ELECTROMAGNETIC, MAGNETIC OR RADIOACTIVE FIELDS
TNR DATE
PT NUMBER
PEEL STRENGTH MIN ______________ gms
MAX _____________ gms
ESD Label
Antistatic Cover Tape
Conductive Embossed
Carrier Tape
F63TNR
Label
Customized
Pin 1
Label
SOIC-8 Unit Orientation
SOIC (8lds) Packaging Information
Packaging Option
Packaging type
Qty per Reel/Tube/Bag
Reel Size
Box Dimension (mm)
Max qty per Box
Weight per unit (gm)
Weight per Reel (kg)
Standard
(no flow code)
TNR
2,500
13” Dia
343x64x343
5,000
0.0774
0.6060
L86Z
Rail/Tube
95
-
530x130x83
30,000
0.0774
-
S62Z
Bag
200
-
76x102x127
1,000
0.0774
-
D84Z
TNR
500
7” Dia
184x187x47
2,500
0.0774
0.1182
Note/Comments
F63TNR Label sample
Bulk
F63TNLabel
343mm x 342mm x 64mm
Standard Intermediate box
ESD Label
LOT: CBVK741B019
FSID: FDS9953A
QTY: 2500
SPEC:
ESD Label
F63TNLabel
D/C1: D9842
D/C2:
QTY1:
QTY2:
SPEC REV:
CPN:
QARV:
(F63TNR)2
SOIC(8lds) Tape Leader and Trailer
Configuration: Figure 2.0
Carrier Tape
Cover Tape
Trailer Tape
160mm minimum
Components
Leader Tape
390mm minimum
November 1998, Rev. A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDS6675BZ | 功能描述:MOSFET -30V P-Channel PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6675BZ_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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