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参数资料
| 型号： | FDS6676AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 14.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 63nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2510pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS6676ASDKR |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max Units
Drain–Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
V SD
Drain–Source Diode Forward
V GS = 0 V, I S = 3.5 A
(Note 2)
0.4
0.7
V
Voltage
V GS = 0 V, I S = 7 A
(Note 2)
0.5
t rr
Diode Reverse Recovery Time
I F = 14.5A,
27
nS
I RM
Q rr
Diode Reverse Recovery Current
Diode Reverse Recovery Charge
d iF /d t = 300 A/μs
(Note 3)
1.9
26
A
nC
Notes:
1. R θ JA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of
the drain pins. R θ JC is guaranteed by design while R θ CA is determined by the user's board design.
a) 50°/W when
mounted on a 1 in 2
pad of 2 oz copper
b) 105°/W when
mounted on a .04 in 2
pad of 2 oz copper
FDS6676AS Rev B 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDS6676AS_G | 制造商:Fairchild 功能描述:30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
| FDS6676AS_NL | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET |
| FDS6676S | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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