- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录426 > FDS6676AS (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDS6676AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 14.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 63nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2510pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS6676ASDKR |
Typical Characteristics
V DS
L
BV DSS
V GS
V GS
R GE
0V
tp
vary t P to obtain
required peak I AS
I AS
DUT
0.01 ?
+
-
V DD
I AS
t P
V DS
V DD
t AV
Figure 15. Unclamped Inductive Load Test
Circuit
Same type as
+
Figure 16. Unclamped Inductive
Waveforms
-
+
V GS
DUT
-
V DD
10V
V GS
Q GS
Q G(TOT)
Q GD
I g(REF
Charge, (nC)
Figure 17. Gate Charge Test Circuit
Figure 18. Gate Charge Waveform
V DS
R L
V DS
t ON
t d(ON)
90%
t r
t OFF
t d(OFF
) t f
90%
V GS
R GEN
V GS Pulse Width ≤ 1 μ s
Duty Cycle ≤ 0.1 %
DUT
+
-
V DD
0V
V GS
0V
10%
10%
50%
Pulse Width
90%
50%
10%
Figure 19. Switching Time Test
Figure 20. Switching Time Waveforms
Circuit
FDS6676AS Rev B 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6679AZ | MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC |
| FDS6679 | MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC |
| FDS6680AS | MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC |
| FDS6680A | MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC |
| FDS6681Z | MOSFET P-CH 30V 20A SO-8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6676AS_0511 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET |
| FDS6676AS_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET⑩ |
| FDS6676AS_G | 制造商:Fairchild 功能描述:30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
| FDS6676AS_NL | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET |
| FDS6676S | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。