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参数资料
| 型号： | FDS6676AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 14.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 63nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2510pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS6676ASDKR |
Typical Characteristics
50
V GS = 10V
3.5V
2.4
40
2.2
V GS = 3.0V
30
6.0V
4.5V
3.0V
2
1.8
1.6
20
1.4
3.5V
4.0V
10
2.5V
1.2
1
4.5V
6.0V
10V
0
0.8
0
0.25 0.5 0.75
1
0
10
20 30
40
50
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.4
I D = 14.5A
V GS =10V
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.016
I D = 7.3 A
0.014
1.2
0.012
1
0.01
T A = 125 C
o
0.008
0.8
0.006
T A = 25 o C
0.6
0.004
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
-55
-35
-15 5 25 45 65 85
o
105
125
2
4 6 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
50
40
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
V DS = 5V
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
V GS = 0V
10
T A = 125 C
30
T A = 125 o C
-55 o C
1
o
25 o C
25 C
20
10
0
o
0.1
0.01
0.001
-55 o C
1
1.5 2 2.5 3
3.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS6676AS Rev B 2
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