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参数资料
| 型号： | FDS6699S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 21A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.6 毫欧 @ 21A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 91nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3610pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS6699SDKR |
Typical Characteristics
105
2.6
87.5
V GS = 10V
3.0V
2.4
2.2
V GS = 2.5V
70
4.5V
3.5V
2
1.8
52.5
1.6
3.0V
35
2.5V
1.4
3.5V
4.0V
17.5
1.2
1
4.5V
6.0V
10V
0
0.8
0
0.5
1
1.5
2
0
17.5
35
52.5
70
87.5
105
1.6
1.4
1.2
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
I D = 21A
V GS =10V
0.012
0.01
0.008
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
I D = 10.5A
1
0.8
0.6
0.006
0.004
0.002
T A = 25 ° C
T A = 125 ° C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
2
4
6
8
10
105
87.5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
V DS = 5V
1000
100
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
V GS = 0V
70
52.5
T A = 125 ° C
10
1
T A = 125 ° C
25 ° C
35
17.5
0
25°C
-55 ° C
0.1
0.01
0.001
-55 ° C
1
1.5 2 2.5
3
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS6699S Rev. D3 2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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