- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录426 > FDS6699S (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDS6699S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 21A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.6 毫欧 @ 21A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 91nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3610pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS6699SDKR |
Typical Characteristics (continued)
SyncFET Schottky Body Diode Characteristics
Fairchild’s SyncFET process embeds a Schottky diode in paral-
lel with PowerTrench MOSFET. This diode exhibits similar char-
acteristics to a discrete external Schottky diode in parallel with a
Schottky barrier diodes exhibit signi?cant leakage at high tem-
perature and high reverse voltage. This will increase the power
in the device.
MOSFET. Figure 12 shows the reverse recovery characteristic
of the FDS6699S.
0.1
T A = 125 o C
0.01
T A = 100 o C
0.001
0.0001
T A = 25 o C
0.00001
0
5
10
15 20
25
30
V DS , REVERSE VOLTAGE (V)
TIME : 12.5ns/div
Figure 13. SyncFET body diode reverse leakage
versus drain-source voltage and temperature.
Figure 12. FDS6699S SyncFET body
diode reverse recovery characteristic.
FDS6699S Rev. D3
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6875 | MOSFET P-CH DUAL 20V 6A 8SOIC |
| FDS6890A | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A 8SOIC |
| FDS6892A | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A 8SOIC |
| FDS6894AZ | MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8SOIC |
| FDS6898A_NF40 | MOSFET N-CH DUAL PWM OPT 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6812 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET |
| FDS6812A | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6814 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET |
| FDS6815 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET |
| FDS6875 | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。