- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录427 > FDS6900AS (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDS6900AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.9A，8.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 6.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type Min Typ Max Units
Off Characteristics
BV DSS
? BV DSS
? T J
I DSS
Drain-Source Breakdown
Voltage
Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
Zero Gate Voltage Drain
V GS = 0 V, I D = 1 mA
V GS = 0 V, I D = 250 uA
I D = 10 mA, Referenced to 25 ° C
I D = 250 μA, Referenced to 25 ° C
V DS = 24 V, V GS = 0 V
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
30
30
27
22
500
V
mV/ ° C
μ A
Current
Q1
1
I GSS
Gate-Body Leakage
V GS = ± 20 V,
V DS = 0 V
Q2
± 100
nA
Q1
On Characteristics
(Note 2)
V GS(th)
Gate Threshold Voltage
V DS = V GS ,
I D = 1 mA
Q2
1
1.9
3
V
V DS = V GS ,
I D = 250 μA
Q1
1
1.9
3
? V GS(th)
? T J
Gate Threshold Voltage
Temperature Coefficient
I D = 10 mA, Referenced to 25 ° C
I D = 250 uA, Referenced to 25 ° C
Q2
Q1
–3.2
–4.2
mV/ ° C
R DS(on)
Static Drain-Source
On-Resistance
V GS = 10 V, I D = 8.2 A
V GS = 10 V, I D = 8.2 A, T J = 125 ° C
Q2
17
23
22
36
m ?
V GS = 4.5 V, I D = 7.6 A
21
28
V GS = 10 V, I D = 6.9 A
V GS = 10 V, I D = 6.9 A, T J = 125 ° C
V GS = 4.5 V, I D = 6.2 A
Q1
22
30
27
27
38
34
I D(on)
On-State Drain Current
V GS = 10 V, V DS = 5 V
Q2
30
A
Q1
20
g FS
Forward Transconductance
V DS = 5 V,
I D = 8.2 A
Q2
25
S
V DS = 5 V,
I D = 6.9 A
Q1
21
Dynamic Characteristics
C iss
Input Capacitance
V DS = 15 V,
V GS = 0 V,
Q2
570
pF
f = 1.0 MHz
Q1
600
C oss
Output Capacitance
Q2
180
pF
Q1
150
C rss
Reverse Transfer Capacitance
Q2
70
pF
Q1
70
R G
Gate Resistance
Q2
2.8
4.9
?
Switching Characteristics
(Note 2)
Q1
2.2
3.8
t d(on)
Turn-On Delay Time
Q2
10
19
ns
Q1
9
18
t r
Turn-On Rise Time
Q2
5
10
ns
t d(off)
Turn-Off Delay Time
V DD = 15 V, I D = 1 A,
V GS = 10V, R GEN = 6 ?
Q1
Q2
4
26
8
42
ns
Q1
23
32
t f
Turn-Off Fall Time
Q2
3
6
ns
Q1
3
6
t d(on)
Turn-On Delay Time
Q2
11
20
ns
Q1
10
19
t r
Turn-On Rise Time
Q2
15
27
ns
t d(off)
Turn-Off Delay Time
V DD = 15 V, I D = 1 A,
V GS = 4.5 V, R GEN = 6 ?
Q1
Q2
9
16
18
29
ns
Q1
14
25
t f
Turn-Off Fall Time
Q2
6
12
ns
Q1
4
8
FDS6900AS Rev B (X)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6910 | MOSFET N-CH DUAL 30V 7.5A 8SOIC |
| FDS6911 | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A 8-SOIC |
| FDS6912 | MOSFET N-CH DUAL PWM OPT 8-SOIC |
| FDS6930A | MOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A 8SOIC |
| FDS6930B | MOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6900AS_NL | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Ch PowerTrench SyncFET |
| FDS6900S | 功能描述:MOSFET Dual NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6910 | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6910-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDS6910 Series 30V 13 mOhm Dual N-Channel Logic Level PowerTrench Mosfet- SOIC-8 |
| FDS6911 | 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。