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参数资料
| 型号： | FDS6900AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.9A，8.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 6.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics Q1
10
I D = 6.9A
800
f = 1 MHz
V GS = 0 V
8
V DS = 10V
20V
600
C iss
6
400
15V
4
C oss
200
2
C rss
0
0
0
2
4 6 8
Q g , GATE CHARGE (nC)
10
12
0
5
10 15 20 25
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
30
Figure 18. Gate Charge Characteristics.
100
50
Figure 19. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
10
R DS(ON) LIMIT
1ms
100 μ s
40
R θ JA = 135°C/W
T A = 25°C
10ms
1s
100ms
30
1
10s
V GS = 10V
DC
20
0.1
SINGLE PULSE
R θ JA = 135 C/W
0.01
o
T A = 25 o C
10
0
0.1
1 10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
100
0.001
0.01
0.1
1
t 1 , TIME (sec)
10
100
1000
Figure 20. Maximum Safe Operating Area.
Figure 21. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
R θ JA = 135 C/W
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
o
0.1
0.1
0.05
0.02
P(pk)
t 1
0.01
0.01
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
SINGLE PULSE
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 22. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDS6900AS Rev B (X)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6910 | MOSFET N-CH DUAL 30V 7.5A 8SOIC |
| FDS6911 | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A 8-SOIC |
| FDS6912 | MOSFET N-CH DUAL PWM OPT 8-SOIC |
| FDS6930A | MOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A 8SOIC |
| FDS6930B | MOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6900AS_NL | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Ch PowerTrench SyncFET |
| FDS6900S | 功能描述:MOSFET Dual NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6910 | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6910-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDS6910 Series 30V 13 mOhm Dual N-Channel Logic Level PowerTrench Mosfet- SOIC-8 |
| FDS6911 | 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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