- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录427 > FDS6994S (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDS6994S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.9A，8.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21 毫欧 @ 6.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 800pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS6994SFSDKR |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type Min Typ Max Units
Off Characteristics
BV DSS
? BV DSS
? T J
I DSS
I GSS
Drain-Source Breakdown
Voltage
Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
Zero Gate Voltage Drain
Current
Gate-Body Leakage
V GS = 0 V, I D = 1 mA
V GS = 0 V, I D = 250 uA
I D = 1 mA, Referenced to 25 ° C
I D = 250 μA, Referenced to 25 ° C
V DS = 24 V, V GS = 0 V
V GS = ±16 V, V DS = 0 V
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
All
30
30
23
24
500
1
±100
V
mV/ ° C
μ A
nA
On Characteristics
(Note 2)
V GS(th)
? V GS(th)
? T J
RD S(on)
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage
Temperature Coefficient
S tatic Drain-Source
On-Resistance
V DS = V GS , I D = 1 mA
V DS = V GS , I D = 250 μA
I D = 1 mA, Referenced to 25 ° C
I D = 250 uA, Referenced to 25 ° C
V GS = 10 V, I D = 8.2A
V GS = 10 V, I D = 8.2 A, T J = 125 ° C
V GS = 4.5 V, I D = 7.6 A
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
1
1
1.5
1.9
–2
–5
10
15
11
3
3
15
24
17.5
V
mV/ ° C
m ?
V GS = 10 V, I D = 6.9 A
V GS = 10 V, I D = 6.9 A, T J = 125 ° C
V GS = 4.5 V, I D = 6.2 A
Q1
16
24
19
21
33.5
26
I D(on)
g FS
On-State Drain Current
Forward Transconductance
V GS = 10 V, V DS = 5 V
V DS = 10 V, I D = 8.2 A
V DS = 10 V, I D = 6.9 A
Q2
Q1
Q2
Q1
30
20
42
41
A
S
Dynamic Characteristics
C iss
Input Capacitance
V DS = 15 V, V GS = 0 V,
Q2
2815
pF
f = 1.0 MHz
Q1
800
C oss
Output Capacitance
Q2
540
pF
Q1
205
C rss
Reverse Transfer Capacitance
Q2
210
pF
Q1
90
R G
Gate Resistance
V GS = 15 mV, f = 1.0 MHz
Q2
2.8 4444 4.9
?
Q1
2. 6 4.6
FDS6994S Rev C 2 (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8433A | MOSFET P-CH 20V 5A 8-SOIC |
| FDS8447 | MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-SOIC |
| FDS8449_F085 | MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-SOIC |
| FDS8449 | MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-SOIC |
| FDS86106 | MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6994S_Q | 功能描述:MOSFET NChannel PowerTrench Notebook Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS7060N7 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS7064A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS7064N | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS7064N7 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。