- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录427 > FDS6994S (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDS6994S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.9A，8.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21 毫欧 @ 6.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 800pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS6994SFSDKR |
Electrical Characteristics
(continued)
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type Min
Typ
Max Units
Switching Characteristics
(Note 2)
t d(on)
t r
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
V DD = 15 V, I D = 1 A,
V GS = 10V, R GEN = 6 ?
Q2
Q1
Q2
11
11
8
20
20
16
ns
ns
Q1
7
14
t d(off)
Turn-Off Delay Time
Q2
50
80
ns
Q1
27
43
t f
Turn-Off Fall Time
Q2
17
31
ns
Q1
4
8
Q g
Total Gate Charge
Q2:
Q2
25
35
nC
V DS = 15 V, I D = 7.9 A, V GS = 5 V
Q1
8
12
Q gs
Gate-Source Charge
Q1:
Q2
Q1
6
3
nC
Q gd
Gate-Drain Charge
V DS = 15 V, I D = 6.5 A, V GS = 5 V
Q2
7
nC
Drain–Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
Q1
3
I S
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
Q2
2.3
A
Q1
1.3
t RR
Q RR
t RR
Q RR
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I F = 8.2 A,
d iF /d t = 300 A/μs
I F = 6.9 A,
d iF /d t = 100 A/μs
(Note 3)
(Note 3)
Q2
Q2
25
19
23
10
ns
nC
ns
nC
V SD
Drain-Source Diode Forward V GS = 0 V, I S = 2.3 A
Voltage
V GS = 0 V, I S = 1.3 A
(Note 2)
(Note 2)
Q2
Q1
0.4
0.53
7
1.2
V
Notes:
1. R θ JA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of
the drain pins. R θ JC is guaranteed by design while R θ CA is determined by the user's board design.
a)
78°C/W when
b)
125°C/W when
c)
135°C/W when
0.5in pad of 2
0.02 in pad of
mounted on a
2
oz copper
mounted on a
2
2 oz copper
mounted on a
minimum pad.
Scale 1 : 1 on letter size paper
2. Pulse Test: Pulse Width < 300 μ s, Duty Cycle < 2.0%
3. See “SyncFET Schottky body diode characteristics” below.
FDS6994S Rev C 2 (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8433A | MOSFET P-CH 20V 5A 8-SOIC |
| FDS8447 | MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-SOIC |
| FDS8449_F085 | MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-SOIC |
| FDS8449 | MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-SOIC |
| FDS86106 | MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6994S_Q | 功能描述:MOSFET NChannel PowerTrench Notebook Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS7060N7 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS7064A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS7064N | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS7064N7 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。