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参数资料
| 型号： | FDS8447 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.5 毫欧 @ 12.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 49nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2600pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8447DKR |
November 2006
FDS8447
Single N-Channel PowerTrench ? MOSFET
40V, 12.8A, 10.5m ?
tm
Features
Max r DS(on) = 10.5m ? at V GS = 10V, I D = 12.8A
Max r DS(on) = 12.3m ? at V GS = 4.5V, I D = 11.4A
Low gate charge
High performance trench technology for extremely low
r DS(on)
High power and current handling capability
RoHS compliant
D
General Description
This single N-Channel MOSFET is produced using
Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench ?
process that has been especially tailored to minimize the
on-state resistance and yet maintain superior switching
performance.
Applications
DC - DC conversion
D
D
D
5
4 G
D
D
6
3
S
SO-8
Pin 1
S
S
S
G
D
D
7
8
2
1
S
S
MOSFET Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
40
±20
Units
V
V
I D
E AS
P D
T J , T STG
Drain Current -Continuous
-Pulsed
Drain-Source Avalanche Energy
Power Dissipation for Single Operation
Operating and Storage Junction Temperature Range
(Note 1a)
(Note 3)
(Note 1a)
(Note 1b)
12.8
50
150
2.5
1
-55 to 150
A
mJ
W
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JC
Thermal Resistance-Single operation, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Case
(Note 1a)
(Note 1)
50
25
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS8447
Device
FDS8447
Reel Size
13’’
Tape Width
12mm
Quantity
2500 units
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8447 Rev. B
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDS8449_F085 | 功能描述:MOSFET 40V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS86106 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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