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参数资料
| 型号： | FDS8447 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.5 毫欧 @ 12.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 49nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2600pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8447DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
10
4
8
V DD = 10V
C iss
10
10
6
4
2
V DD = 20V
V DD = 30V
3
2
f = 1MHz
C oss
C rss
V GS = 0V
10
0
0
10 20 30
40
1
0.1
1 10
40
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
16
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain to Source Voltage
15
13
12
V GS = 10V
10
T J = 25 o C
9
R θ JA = 50 C/W
7
4
T J = 125 o C
6
3
o
V GS = 4.5V
1
0.01
0.1 1 10
100
0
25
50
75
100
125
150
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( C )
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive Switching
Capability
100
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
2000
1000
10
100us
V GS = 10V
1ms
100
SINGLE PULSE
1
0.1
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
10ms
100ms
1s
10
R θ JA = 125°C/W
T A = 25°C
10
10
10
10
10
10
10
10
0.01
0.01
TJ = MAX RATED
TA = 25 O C
0.1 1 10
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
10s
DC
100 200
1
-4
-3
SINGLE PULSE
-2 -1 0
t, PULSE WIDTH (s)
1
2
3
Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
FDS8447 Rev.B
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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