- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录427 > FDS8447 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDS8447 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.5 毫欧 @ 12.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 49nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2600pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8447DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
50
3.0
40
V GS =10V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
2.5
V GS = 3V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
30
V GS = 4.5V
2.0
20
V GS = 3.5V
1.5
V GS = 4.5V
V GS = 3.5V
V GS = 3V
10
1.0
V GS = 10V
0
0.0
0.4 0.8 1.2 1.6
2.0
0.5
0
10 20 30
40
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance vs Drain
Current and Gate Voltage
1.8
1.6
I D = 12.8A
V GS = 10V
25
I D = 12.8A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
20
1.4
1.2
1.0
15
T J = 125 o C
T J = 25 o C
10
0.8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100 125
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
150
5
2
4 6 8
10
10
Figure 3. Normalized On Resistance vs Junction
Temperature
50
Figure 4. On-Resistance vs Gate to Source
Voltage
100
40
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V DS = 5V
10
V GS = 0V
30
20
T J = 150 o C
T J = 25 o C
1
0.1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
10
T J
= -55 o C
0.01
T J = -55 o C
0
1.0
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
4.0
1E-3
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode Forward
Voltage vs Source Current
FDS8447 Rev.B
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8449_F085 | MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-SOIC |
| FDS8449 | MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-SOIC |
| FDS86106 | MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-SOIC |
| FDS86140 | MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC |
| FDS86141 | MOSFET N-CH 100V 7A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8447-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDS8447 Series N-Channel 40 V 10.5 mOhm PowerTrench Mosfet - SOIC-8 |
| FDS8449 | 功能描述:MOSFET 40V N-Ch UltraFET PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8449_F085 | 功能描述:MOSFET 40V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS86106 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS86140 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。