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参数资料
| 型号： | FDS6994S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.9A，8.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21 毫欧 @ 6.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 800pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS6994SFSDKR |
Typical Characteristics for Q1
20
4.5V
2.2
15
V GS = 10V
3.5V
2
1.8
V GS = 3.5V
1.6
10
1.4
4.0V
5
3.0V
1.2
4.5V
6.0V
1
10V
0
0.8
0
0.5
1
1.5
2
0
5
10
15
20
1.6
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. On-Region Characteristics.
I D = 6.9A
V GS = 10V
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 12. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.075
I D = 3.5A
1.4
0.05
1.2
T A = 125 o C
1
0.025
0.8
T A = 25 o C
0.6
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 13. On-Resistance Variation with
Temperature.
20
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 14. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
15
V DS = 5V
10
1
V GS = 0V
T A = 125 o C
10
T A = 125 o C
25 o C
-55 o C
0.1
0.01
25 o C
-55°C
5
0.001
0
0.0001
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 15. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 16. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS6994S Rev C2(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6994S_Q | 功能描述:MOSFET NChannel PowerTrench Notebook Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS7060N7 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS7064A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS7064N | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS7064N7 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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