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参数资料
| 型号： | FDS8433A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 5A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 47 毫欧 @ 5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1130pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8433ADKR |
Typical Characteristics
50
V GS = -4.5V
2
40
-3.5V
-3.0V
1.8
V GS = -2 .0 V
1.6
30
20
-2.5V
1.4
-2 .5 V
-3 .0 V
-2.0V
1.2
-3 .5 V
-4 .0 V
10
-1.5V
1
-4 .5 V
0
0
1
2
3
4
5
0.8
0
10
20
30
40
50
1.6
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
I D = -5A
0.15
- I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
I D = -2.5A
1.4
1.2
V GS = -4.5V
0.12
0.09
1
0.8
0.06
0.03
T J = 1 25° C
25° C
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100
125
150
0
1
2
3
4
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
-V GS , GATE TO SOURCE VOLT AG E (V)
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
10
8
V DS = -5V
T J = -55° C
25°C
10
3
V GS = 0V
1 25° C
1
6
4
2
0.1
0.01
T J =1 25°C
25°C
-55°C
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V G S , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V S D , BODY DIODE F ORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
FDS8433A Rev. C
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PDF描述 |
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