- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录427 > FDS8433A (Fairchild Semiconductor)MOSFET P-CH 20V 5A 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDS8433A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 5A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 47 毫欧 @ 5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1130pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8433ADKR |
Typical Characteristics
5
(continued)
3000
I D =-5.0A
V DS = -5V
2000
4
-10V
1000
C iss
-15V
3
500
C oss
2
200
1
100
f = 1 MHz
C rss
V GS = 0 V
0
0
4
8 12
16
20
50
0.1
0.2
0.5 1 2 5
10
20
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
50
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
S(O
LIM
1m
10m
10
0m
10
1
RD
N)
IT
1s
s
100
s
s
us
40
30
SINGLE PULSE
R θ JA =125°C/W
T A = 25°C
0.1
V GS = -4.5V
SINGLE PULSE
R θ JA = 125°C/W
T A = 25°C
10s
DC
20
10
0.01
0.1
0.2
0.5 1 2 5 10
20
50
0
0.001
0.01
0.1 1 10
100
300
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
0.5
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.2
0.1
0.05
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA =125°C/W
0.02
0.01
0.02
0.01
Single Pulse
P(pk)
t 1
t 2
0.005
0.002
0.001
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
FDS8433A Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8447 | MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-SOIC |
| FDS8449_F085 | MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-SOIC |
| FDS8449 | MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-SOIC |
| FDS86106 | MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-SOIC |
| FDS86140 | MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8433A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SO-8 |
| FDS8433A_00 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single P-Channel 2.5V Specified MOSFET |
| FDS8447 | 功能描述:MOSFET 40V Single N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8447-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDS8447 Series N-Channel 40 V 10.5 mOhm PowerTrench Mosfet - SOIC-8 |
| FDS8449 | 功能描述:MOSFET 40V N-Ch UltraFET PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。