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参数资料
| 型号： | FDS8880 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 11.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1235pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8880DKR |
Switching Characteristics (V GS = 10V)
t ON
t d(ON)
Turn-On Time
Turn-On Delay Time
-
-
-
7
51
-
ns
ns
t r
t d(OFF)
t f
t OFF
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-Off Time
V DD = 15V, I D = 11.6A
V GS = 10V, R GS = 11 ?
-
-
-
-
27
38
15
-
-
-
-
80
ns
ns
ns
ns
Drain-Source Diode Characteristics
V SD
t rr
Q RR
Source to Drain Diode Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovered Charge
I SD = 11.6A
I SD = 2.1A
I SD = 11.6A, dI SD /dt = 100A/ μ s
I SD = 11.6A, dI SD /dt = 100A/ μ s
-
-
-
-
-
-
-
-
1.25
1.0
30
20
V
V
ns
nC
Notes:
1: Starting T J = 25°C, L = 1mH, I AS = 12.8A, V DD = 30V, V GS = 10V.
2: R θ JA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of the
drain pins. R θ JC is guaranteed by design while R θ JA is determined by the user’s board design.
a) 50°C/W when mounted on a 1in 2 pad of 2 oz copper.
b) 125°C/W when mounted on a minimum pad.
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8880 Rev. B
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8882 | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC |
| FDS8884 | MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC |
| FDS8896 | MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC |
| FDS89141 | MOSFET N-CH 100V 3.5A 8SOIC |
| FDS89161LZ | MOSFET N-CH 100V DUAL LL 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8880 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:; Transistor Type:MOSFET; Leaded Process |
| FDS8880_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDS8880_F123 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 11.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8882 | 功能描述:MOSFET 30V 9A N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8884 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PwrTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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