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参数资料
| 型号： | FDS8880 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 11.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1235pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8880DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
1.10
1.05
1.00
I D = 250 μ A
2000
1000
C OSS ? C DS + C GD
C RSS = C GD
C ISS = C GS + C GD
0.95
0.90
-80
-40
0 40 80
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
120
160
100
0.1
V GS = 0V, f = 1MHz
1 10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
30
Figure 11. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 12. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
10
8
V DD = 15V
100
10
100us
1ms
6
1
THIS AREA IS
10ms
R θ JA = 125 C/W
4
2
0
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
I D = 11.6A
I D = 1A
0.1
0.01
0.01
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
o
T A = 25 o C
0.1 1
10
100ms
1s
10s
DC
100
0
5
10
15
20
25
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 13. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
Figure 14. Forward Bias Safe Operating Area
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8880 Rev. B
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8882 | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC |
| FDS8884 | MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC |
| FDS8896 | MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC |
| FDS89141 | MOSFET N-CH 100V 3.5A 8SOIC |
| FDS89161LZ | MOSFET N-CH 100V DUAL LL 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8880 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:; Transistor Type:MOSFET; Leaded Process |
| FDS8880_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDS8880_F123 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 11.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8882 | 功能描述:MOSFET 30V 9A N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8884 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PwrTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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