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参数资料
| 型号： | FDS8880 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 11.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1235pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8880DKR |
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT FDS8880 2 1 3 ;
Ca 12 8 9.3e-10
Cb 15 14 9.3e-10
Cin 6 8 1.15e-9
Dbody 7 5 DbodyMOD
rev August 2004
9
20
13
ESLC
Dbreak 5 11 DbreakMOD
Dplcap 10 5 DplcapMOD
Ebreak 11 7 17 18 33.5
Eds 14 8 5 8 1
Egs 13 8 6 8 1
Esg 6 10 6 8 1
Evthres 6 21 19 8 1
Evtemp 20 6 18 22 1
It 8 17 1
Lgate 1 9 3.6e-9
Ldrain 2 5 1.0e-9
Lsource 3 7 1.2e-10
RLgate 1 9 36
RLdrain 2 5 10
RLsource 3 7 1.2
Mmed 16 6 8 8 MmedMOD
Mstro 16 6 8 8 MstroMOD
Mweak 16 21 8 8 MweakMOD
GATE
1
LGATE
RLGATE
-
ESG
+
EVTEMP
RGATE + 18 -
22
S1A
12
8
6
8
DPLCAP
10
RSLC2
EVTHRES
+ 19 -
8
6
CIN
S2A
14 15
13
5
RSLC1
51
5
51
50
RDRAIN
16
21
MMED
MSTRO
8
DBREAK
11
+
17
EBREAK 18
-
MWEAK
7
RSOURCE
RBREAK
17
LDRAIN
RLDRAIN
DBODY
LSOURCE
RLSOURCE
18
DRAIN
2
SOURCE
3
Rbreak 17 18 RbreakMOD 1
Rdrain 50 16 RdrainMOD 2.9e-3
Rgate 9 20 2.5
RSLC1 5 51 RSLCMOD 1e-6
RSLC2 5 50 1e3
Rsource 8 7 RsourceMOD 5.4e-3
Rvthres 22 8 RvthresMOD 1
CA
S1B
13
+
EGS
-
6
8
S2B
CB
+
EDS
-
5
8
14
8
IT
RVTHRES
RVTEMP
19
-
VBAT
+
22
Rvtemp 18 19 RvtempMOD 1
S1a 6 12 13 8 S1AMOD
S1b 13 12 13 8 S1BMOD
S2a 6 15 14 13 S2AMOD
S2b 13 15 14 13 S2BMOD
Vbat 22 19 DC 1
ESLC 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)/(1e-6*170),5))}
.MODEL DbodyMOD D (IS=2.6E-12 IKF=10 N=1.01 RS=5.6e-3 TRS1=8e-4 TRS2=2e-7
+ CJO=5e-10 M=0.55 TT=1e-11 XTI=2)
.MODEL DbreakMOD D (RS=0.2 TRS1=1e-3 TRS2=-8.9e-6)
.MODEL DplcapMOD D (CJO=4.27e-10 IS=1e-30 N=10 M=0.38)
.MODEL MmedMOD NMOS (VTO=1.8 KP=5 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=2.5)
.MODEL MstroMOD NMOS (VTO=2.21 KP=150 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL MweakMOD NMOS (VTO=1.53 KP=0.05 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=25 RS=0.1)
.MODEL RbreakMOD RES (TC1=8.3e-4 TC2=-8e-7)
.MODEL RdrainMOD RES (TC1=5.5e-3 TC2=1.2e-5)
.MODEL RSLCMOD RES (TC1=1e-4 TC2=1e-6)
.MODEL RsourceMOD RES (TC1=1e-3 TC2=3e-6)
.MODEL RvthresMOD RES (TC1=-1.5e-3 TC2=-6e-6)
.MODEL RvtempMOD RES (TC1=-1.8e-3 TC2=2e-7)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-4 VOFF=-3.5)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-3.5 VOFF=-4)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-1.5 VOFF=-1.0)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-1.0 VOFF=-1.5)
.ENDS
Note: For further discussion of the PSPICE model, consult A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options ; IEEE Power Electronics Specialist Conference Records, 1991, written by William J. Hepp and C. Frank
Wheatley.
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8880 Rev. B
9
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8882 | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC |
| FDS8884 | MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC |
| FDS8896 | MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC |
| FDS89141 | MOSFET N-CH 100V 3.5A 8SOIC |
| FDS89161LZ | MOSFET N-CH 100V DUAL LL 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8880 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:; Transistor Type:MOSFET; Leaded Process |
| FDS8880_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDS8880_F123 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 11.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8882 | 功能描述:MOSFET 30V 9A N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8884 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PwrTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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