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参数资料
| 型号： | FDS8958 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A，5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 789pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8960C | MOSFET N/P-CH DUAL 35V 8-SOIC |
| FDS8962C | MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC |
| FDS8978 | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
| FDS8984_F085 | MOSFET N-CH 30V 8-SOIC |
| FDS8984 | MOSFET N-CHAN 30V 7A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8958A | 功能描述:MOSFET SO8 COMP N-P-CH T/R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8958A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NP SO-8 |
| FDS8958A_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N and P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS8958A_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P-Channel PowerTrenchO MOSFET |
| FDS8958A_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET |
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