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参数资料
| 型号： | FDS8984 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 30V 7A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 635pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8984DKR |
May 2007
FDS8984
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
30V, 7A, 23m ?
tm
General Description
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to
improve the overall efficiency of DC/DC converters using
either synchronous or conventional switching PWM
controllers. It has been optimized for low gate charge, low
r DS(ON) and fast switching speed.
Features
Max r DS(on) = 23m ? , V GS = 10V, I D = 7A
Max r DS(on) = 30m ? , V GS = 4.5V, I D = 6A
Low gate charge
100% R G tested
RoHS Compliant
D D1
D D2
D D2
D D1
5
6
Q2
4
3
S1 S
SO-8
Pin 1 SO-8
G2
S2 G
G1 S
S
7
8
Q1
2
1
MOSFET Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
30
±20
Units
V
V
I D
E AS
P D
T J , T STG
Drain Current Continuous
Pulsed
Single Pulse Avalache Energy
Power Dissipation for Single Operation
Derate above 25°C
Operating and Storage Temperature
(Note 1a)
(Note 2)
7
30
32
1.6
13
-55 to 150
A
A
mJ
W
mW/°C
°C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
78
40
°C/W
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS8984
Device
FDS8984
Package
SO-8
Reel Size
330mm
Tape Width
12mm
Quantity
2500 units
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8984 Rev. A1
1
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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