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参数资料
| 型号： | FDS8984 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 30V 7A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 635pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8984DKR |
Typical Characteristics T J
= 25°C unless otherwise noted
2
1
0.1
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
P DM
t 1
1E-3
SINGLE PULSE
NOTES:
t 2
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
10
10
10
10
10
10
1E-4
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s)
Figure 13. Transient Thermal Response Curve
FDS8984 Rev. A1
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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