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参数资料
| 型号： | FDS8984 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 30V 7A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 635pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8984DKR |
Typical Characteristics T J
= 25°C unless otherwise noted
30
20
V GS =10V PULSE DURATION =80 μ S
DUTY CYCLE =0.5% MAX
V GS =5.0V
V GS =3.5V
V GS =4.5V
3.0
2.5
2.0
V GS =3.0V
V GS =3.5V
PULSE DURATION =80 μ S
DUTY CYCLE =0.5% MAX
10
V GS =4.0V
1.5
V GS =4.0V
V GS =4.5V
V GS =3.0V
1.0
V GS =5.0V
V GS =10V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.5
5
10
15
20
25
30
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
1.6
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance vs Drain Current and
Gate Voltage
60
1.4
I D = 7A
V GS = 10V
55
50
I D = 7A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
45
1.2
1.0
0.8
40
35
30
25
20
T J = 25 o C
T J = 125 o C
0.6
-80
-40
0
40
80
120
160
15
2
4 6 8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. On Resistance vs Temperature
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to Source
Votlage
30
25
PULSE DURATION =80 μ S
DUTY CYCLE =0.5% MAX
V DD = 5V
30
10
V GS = 0V
T J = 150 C
20
O
1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
15
0.1
T J = 25 C
T J = - 55 C
10
5
O
O
0.01
T J = -55 o C
0
1
2 3
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
4
1E-3
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.4
Figure 5. Transfer Characteristics
FDS8984 Rev. A1
3
Figure 6. Source to Drain Diode Forward Voltage
vs Source Current
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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