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参数资料
| 型号： | FDS8960C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 35V 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 35V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A，5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.7nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 570pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8960CDKR |
November 2005
FDS8960C
Dual N & P-Channel PowerTrench ? MOSFET
General Description
Features
These dual N- and P-Channel enhancement mode
power field effect transistors are produced using
?
Q1 :
N-Channel
Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench
process that has been especially tailored to minimize
on-state ressitance and yet maintain superior switching
7.0A, 35V
R DS(on) = 0.024 Ω @ V GS = 10V
R DS(on) = 0.032 Ω @ V GS = 4.5V
performance.
?
Q2 :
P-Channel
These devices are well suited for low voltage and
battery powered applications where low in-line power
–5A, –35V
R DS(on) = 0.053 Ω @ V GS = –10V
loss and fast switching are required.
?
?
R DS(on) = 0.087 Ω @ V GS = –4.5V
Fast switching speed
RoHS compliant
D D1
D D2
D D2
D D1
5
6
Q2
Q1
4
3
SO-8
Pin 1 SO-8
G2
S2 G
G1 S
S1 S
S
7
8
2
1
Absolute Maximum Ratings
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Q1
35
Q2
–35
Units
V
V DS(Avalanche)
V GSS
Drain-Source Avalanche Voltage (maximum)
Gate-Source Voltage
(Note 3)
40
± 20
–40
± 25
V
V
I D
Drain Current
- Continuous
(Note 1a)
7
–5
A
- Pulsed
20
–20
P D
Power Dissipation for Dual Operation
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
(Note 1b)
(Note 1c)
2
1.6
1
0.9
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
78
40
° C/W
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS8960C
Device
FDS8960C
Reel Size
13”
Tape width
12mm
Quantity
2500 units
? 2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8960C Rev C1(W)
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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