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参数资料
| 型号： | FDS8960C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 35V 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 35V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A，5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.7nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 570pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8960CDKR |
Typical Characteristics: Q1 (N-Channel)
10
800
I D = 7A
V DS = 10V
15V
700
f = 1 MHz
V GS = 0 V
8
6
4
2
20V
600
500
400
300
200
C oss
C iss
100
C rss
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
5
10 15 20 25
30
35
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
10
R DS(ON) LIMIT
100 μ s
40
SINGLE PULSE
R θ JA = 135°C/W
T A = 25°C
1ms
10ms
100ms
30
1
1s
DC
10s
20
0.1
0.01
V GS = 10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 135 o C/W
T A = 25 o C
10
0
0.1
1 10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
40
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
SINGLE PULSE
R θ JA = 135°C/W
100
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
T J = 25 C
30
20
10
0
T A = 25°C
10
1
o
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Single Pulse Maximum Peak
Current
FDS8960C Rev C1(W)
t AV , TIME IN AVANCHE(ms)
Figure 12. Unclamped Inductive Switching
Capability
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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