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参数资料
| 型号： | FDS8960C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 35V 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 35V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A，5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.7nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 570pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8960CDKR |
Typical Characteristics: Q1 (N-Channel)
20
2.6
16
V GS = 10V
6.0V
4.5V
3.5V
2.4
2.2
2
12
1.8
V GS = 3.5V
8
1.6
1.4
4.0V
4
3.0V
1.2
4.5V
5.0V
6.0V
10V
1
0
0.8
0
0.5 1 1.5
2
0
4
8 12
16
20
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
1.8
1.6
I D = 7A
V GS = 10V
0.065
I D = 3.5A
0.055
1.4
0.045
1.2
1
0.035
T A = 125 o C
0.8
0.6
0.025
0.015
T A = 25 o C
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
-50
-25
0 25 50 75 100
o
125
150
2
3
4 5 6 7 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
9
10
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
30
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
V DS = 5V
T A = -55 o C
25 o C
V GS = 0V
25
20
125 o C
10
1
T A = 125 o C
15
10
5
0
0.1
0.01
0.001
0.0001
25 o C
-55 o C
1.5
2.5 3.5
4.5
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
FDS8960C Rev C1(W)
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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